Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Main
Technique - Electronics
Физические основы функционирования...

Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

Митрофанов О.В. и др.

0 / 0

Wie gefällt Ihnen dieses Buch?

Wie ist die Qualität der Datei?

Herunterladen Sie das Buch, um Ihre Qualität zu bewerten

Wie ist die Qualität der heruntergeladenen Dateien?

Есть большое желание переделать

Kategorien:

Technique - Electronics

Jahr:

1987

Sprache:

russian

Seiten:

85

Datei:

DJVU, 4.31 MB

IPFS:

,

russian, 1987

Online lesen

Die Konvertierung in ist im Gange

Die Konvertierung in ist fehlgeschlagen

Es kann für Sie interessant sein

Оболенская Е. С., Чурин А. Ю., Тарасова Е. А., Волкова Е. В., Оболенский С. В. — Измерение электрофизических характеристик p-n перехода: Практикум

Волкова Е. В., Пузанов А. С., Оболенский С. В., Тарасова Е. А. — Введение в физику полупроводниковых диодов и методы их проектирования с использованием высокопроизводительных вычислений: Учебное пособие

Тарасова Е. А., Пузанов А. С., Волкова Е. В., Оболенский С. В., Оболенская Е. С. — Введение в физику транзисторов: Учебное пособие

Кудин, В. И.Мартинович, В. А. — Электрические свойства металлов и полупроводников

В. А. Гуртов — Твердотельная электроника: Учеб. пособие

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физика. Ч. 6 : Квантовые электронные свойства твердых тел

Почтенный, Артем Евгеньевич — Физическая электроника и электронные приборы. Ч. 1

Левинштейн М.Е., Симин Г.С. — Барьеры. От кристалла до интегральной схемы

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Коллектив авторов — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Дьяченко А.Т., Флоринский В.Ю. — Определение электродвижущей силы фотоэлемента с запирающим слоем : Методические указания к лабораторной работе № 312

Качарова М.С., Казакова Л.П. — Изучение вентильного фотоэлемента: методические указания к лабораторной работе

Л. П. Казакова, Г. И. Полищук — Физика. Электричество. Лабораторная работа № 15. Исследование полупроводникового выпрямителя: Методические указания к лабораторной работе для студентов всех направлений подготовки и форм обучения

Вострецова Л. Н., Иго А. В., Соловьев А. А. — Физические основы продукции высокотехнологичного производства

Митрофанов О.В. и др. — Микроэлектроника

Левинштейн М. Б., Симин Г. С. — Барьеры (От кристалла до интегральной схемы)

Ригер Е.Р. — Физика полупроводников: Сборник лабораторных работ

Поляков А.М. — Разгаданный полупроводник

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. — Твердотельная электроника

Гоков А.М., Жидко Е.А., Вдовёнков В.Ю. — Основы электротехники и электроники. В 5-ти частях

Шевченко О.Ю. — Основы физики твердого тела

Троян П.Е. — Твердотельная электроника

Мамыкин А.И., Рассадина А.А. — Контактные явления в полупроводниках. Учебно-методическое пособие по курсу «Физические основы электроники». Часть 2

— Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

Лысенко А.П. — Физические процессы в p-n-переходе

Кудин В.И., Мартинович В.А. — Электрические свойства металлов и проводников

Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Кузьмина Г.Н., Объедков Е.В., Королева И.А. — Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника

Абдуллаев А.М. и др. — Микроволновые Полупроводниковые Приборы. Конспект Лекций

Митяшев Б.Н. — Электронные приборы

— Основы теории p-n перехода

Ткачева Т.М. — Основы полупроводниковой техники и ее применение в автотранспортном комплексе

Шкаев А.Г. — Твердотельная электроника: конспект лекций

Михайлов А.В., Родионов М.Г., Новиков С.М. — Физические основы электроники: Пассивные компоненты электронных устройств

Датиев К.М. — Введение в физику конденсированного состояния. Сборник задач и упражнений

Am meisten angefragte Begriffe

носителей

электронов

напряжения

перехода

полупроводника

концентрации

напряжение

электрона

проводимости

результате

электроны

переходе

полупроводник

концентрация

сопротивление

носители

полупроводнике

выражение

направлении

поверхности

неосновных

определяется

элементов

зависимость

называется

транзистора

полупроводниках

рекомбинации

температуры

электрического

насыщения

полупроводниковых

смещении

происходит